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大和田 謙二; 石井 賢司; 稲見 俊哉; 村上 洋一; 菖蒲 敬久*; 大隅 寛之*; 池田 直*; 大石 泰生*
Physical Review B, 72(1), p.014123_1 - 014123_10, 2005/07
被引用回数:27 パーセンタイル:70.05(Materials Science, Multidisciplinary)構造とそれに関係する共鳴X線散乱(RXS)の圧力効果がホール軌道秩序物質(CHNH)CuClにおいて調べられた。ラマン散乱によって示唆されたPc=4GPaの相転移が斜方晶-単斜晶相転移に伴うピークスプリットから直接観測された。ヤーンテラー歪みの圧力による減少を構造解析から明らかにした。それに伴い、黄色い結晶は赤に赤方変移することが顕微鏡観察で確認した。また、われわれはRXS強度の起源が3d-4pクーロン相互作用の結果ではなく、八面体歪みを感じた4p軌道の分極であることを突き止めた。高圧下でのRXSが調べられたが、Pcまでに強度の変化は余りなく、Pc以上で急激に強度がなくなることが観測された。これに伴いPc以上での2つの可能な構造が提案された。
赤木 浩; 横山 啓一; 横山 淳
Journal of Chemical Physics, 118(8), p.3600 - 3611, 2003/02
被引用回数:29 パーセンタイル:67.38(Chemistry, Physical)N-H伸縮高振動励起したNH(5)の紫外光分解の実験を行った。実験はジェット条件下で行い、生成したH原子を共鳴(2+1)光子イオン化により検出した。5領域のアクションスペクトを測定することで、N-H結合解離断面積の相互比を求めた結果、4+振動状態が5状態よりも1.230.06倍、断面積の大きいことがわかった。この結果に対して、波束計算を用いて理論的に解釈することを試みた。
広田 耕一; J.Maekelae*; 徳永 興公
Industrial & Engineering Chemistry Research, 35(10), p.3362 - 3368, 1996/00
被引用回数:17 パーセンタイル:72.47(Engineering, Chemical)SOとNHの反応へのO(0-20%)及びNO(0-300ppm)の影響について、反応温度40-60Cの範囲で実験を行った。その結果、O及びNOはこの反応を促進することが分かった。また、FT-IRによる反応生成物の分析結果より、O及びNOはSOを酸化し、肥料として使用可能な(NH)SO、すなわち硫安の生成も促進することが分かった。反応開始温度はOまたはNOの存在下では、それらの濃度が高い程高温側へシフトすることも確認された。反応により生成するエアロゾルは反応温度が低い程、すなわちSOとNHの反応が進む程、その量及び粒径は多くそして大きくなったが、エアロゾルとして除去されたSOはほんの数%であり、残りは反応容器表面に吸着した。
高橋 芳浩*; 今木 俊作*; 大西 一功*; 吉川 正人
Proceedings of IEEE 1995 International Coferece on Microelectronic Test Structures, Vol.8, p.243 - 246, 1995/03
放射線照射や電荷注入による捕獲電荷がMOS構造の酸化膜中において分布する場合、その膜中電荷分布を把握することは電荷捕獲機構や素子特性への影響などを解明する上で重要である。我々は、酸化膜厚をエッチングにより同一基板内で連続的に変化させ、各膜厚に対するMOS構造のミッドギャップ電圧により酸化膜中の電荷分布評価を行う方法を考案した。今回この方法を用いて、MOS構造の酸化膜中電荷分布に及ぼす酸化膜形成後のNH雰囲気中での高温熱処理の影響について評価した。その結果、熱処理を行っていない酸化膜中では、これまでの報告と同様にSi-SiO界面付近に正電荷が局在することが確認された。またNH雰囲気中の熱処理を施すと、界面より20nm付近に正電荷および負電荷が発生し、これらの発生量は熱処理時間に依存することがわかった。この現象は酸化膜中への窒素の拡散に起因するものと考えられる。
今木 俊作*; 高橋 芳浩*; 吉川 正人; 大西 一功*
平成7年度日本大学理工学部学術講演会論文集, 0, p.151 - 152, 1995/00
これまでに、MOS構造の酸化膜厚に対するミッドギャップ電圧より酸化膜中電荷分布を評価する方法を提案して、NH中で高温アニールを施した酸化膜を有するMOS構造の酸化膜中電荷分布、およびその線照射による変化を評価してきた。今回、照射による電機的特性変化のメカニズム解明を目的に、照射中のゲート電圧の違いによる電荷分布の変化について検討した。その結果、シリコン界面から10~30nm離れた酸化膜中ではNHアニールにより捕獲電荷が発生し、照射により正電圧印加時には正電荷が、負電圧印加時には負電荷がそれぞれ増加することがわかった。これらの結果より、NHアニールにより正孔、電子トラップが酸化膜中で生成され、照射により膜中で発生した電子および正孔がこれらのトラップに捕獲されること、また印加電圧依存性は発生電荷のドリフト方向の違いにより説明できることがわかった。
今木 俊作*; 岡田 耕平*; 高橋 芳浩*; 吉川 正人; 大西 一功*
平成5年度 (第37回)日本大学理工学部学術講演会講演論文集; 材料・物性, p.135 - 136, 1993/00
放射線照射や電荷注入による捕獲電荷がMIS構造の絶縁膜中において分布する場合、その膜中電荷分布を把握することが電荷捕獲機構や素子特性への影響などを解明する上で重要である。そこで同一素子内で絶縁膜厚をエッチングによって変化させ、各膜厚に対するMIS構造のミッドギャップ電圧より膜中の電荷分布評価を行う方法を考案し、MOS構造についてNHアニール後および放射線照射前後での酸化膜中電荷分布を評価した。この結果NHアニールにより電極界面付近の電荷量が変化し、Si-SiO界面準位が増加することがわかった。また放射線照射前の酸化膜中ではSi-SiO界面付近に正電荷が局在し、電荷量は製作時の初期酸化膜厚には依存せず、酸化温度上昇に伴って減少すること、放射線照射後ではSi-SiO界面付近で正電荷が捕獲され、その捕獲量は酸化温度に依存することがわかった。
白井 稔三; 中村 宏樹*
Physical Review A, 40(12), p.7377 - 7379, 1989/12
被引用回数:0 パーセンタイル:0.15(Optics)NHとの熱衝突によるHe(n=14,P)の電離の理論研究を準量子論を用いて行った。電子-分子の回転脱励起過程に対して荷電-双極子Glauber微分断面積を適用した。計算した熱平均断面積は、n≦17において非常に強いn-依存性を示すことが分かった。得られた結果と最近の実験との比較を行った。
横山 淳; 鈴木 和弥; 藤沢 銀治; 石川 二郎; 岩崎 又衛*
Applied Physics B, 38(2), p.99 - 105, 1985/00
被引用回数:17 パーセンタイル:65.92(Physics, Applied)T化クロロホルム(CTCl)の赤外多光子解離およびCTCl/CHCl混合系でのCTClの選択的解離を、アンモニアレーザーを用いて研究した。クロロホルム圧0.2~7torrの範囲で、CTClの分解速度は、クロロホルム圧の増加に従って単調に減少した。またCTCl/CHCl混合系にXeを添加すると、クロロホルム圧が2torr以下では、CTClの分解速度が増加した。さらに、実験誤差範囲内でCHClの解離は認められず、クロロホルム圧2torrで分離係数は570以上であった。
川上 和市郎; 橋本 昭司
Radiation Physics and Chemistry, 24(1), p.29 - 40, 1984/00
抄録なし
西村 浩一; 鈴木 伸武
Journal of Nuclear Science and Technology, 18(5), p.341 - 348, 1981/00
電子線照射によるNHを含むNO-SO-HO-O-N混合系におけるNHの消費に関する研究を行った。NH濃度は、種々のNH初濃度において、線量の増加とともに直線的に減少した。G(-NH)はNH濃度が500ppmまでは増加し、それ以上ではほとんど一定であった(750ppmの場合、G(-NH)=5.8)。NH消費速度はNH濃度が500ppm以上では約175ppm/Mradであった。G(-NH)はHOおよびSO濃度とともに増加した。反対に、G(-NH)はNO濃度が増加するとともに減少し、3~19.5%の酸素の存在によってほとんど影響されなかった。G(-NH)は80~150Cの温度領域においては、温度の低下とともに大きくなった。NH消費の見かけの活性化エネルギーは-3.82Kcal/molであった。NHはHNOおよびHSOとの反応によって主に消費され、NHNOおよび(NH)SOを生成する。
鈴木 伸武; 西村 浩一; 徳永 興公
Journal of Nuclear Science and Technology, 17(11), p.822 - 830, 1980/00
被引用回数:11 パーセンタイル:73.1(Nuclear Science & Technology)電子線照射によるNHを含むNO-SO-HO-O-N混合系におけるNOの除去に関する研究を行った。NOの除去はNHの添加によって著しく促進され、同時にSOが除去された。この場合、NO,NO,NHNO,(NH)SOの生成が観測された。また、NOの除去はHOおよびSOの存在によって促進され、3~19.5%の酸素によってはほとんど影響されなかった。NOx(NO+NO)の除去率は80~150Cの温度範囲では温度の低下とともに大きくなった。NOの除去速度は3.110~2.410rad/Sの線量率範囲では線量率に無関係であった。NHの添加によるNO除去の促進はNHとOHラジカルの反応によって生成するNHラジカルによるNOの効果的な分解に起因するものである。 NOの収量はNHの添加によって減少し、NOの収量は増加した。
下司 和男; 小沢 国夫; 巻田 泰治*; 大坂 俊雄*
Journal of the Physical Society of Japan, 35(5), P. 1562, 1973/05
静水圧下の誘電性の温度変化の測定から水素原子を含むふたつの強誘電体CHNHAl(SO)・12HO(MASD=メチルアンモニウム・アルミニウム明ばん),NaNHSeO・2HOのキューリー温度に対する圧力効果を測定した。キューリー温度Tcの圧力Pに対する係数としてMASDに対して、dTc/dp=+2.50.1C kbar,NaNHSeO・2HOに対して、dTc/dp=-(4.10.2)C kbarが観測された。MASDのdTc/dpが正であることは、この物質の強誘電性が水素の秩序-無秩序に起因していないことを示唆している。